CSD17579Q3AT

功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.2 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):998pF @ 15V

功率 - 最大值:3.2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:8-VSONP(3x3.15)

标准包装:1

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